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东莞市辰城电子有限公司

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瓷片电容-辰城电子-佛山瓷片电容

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详细信息

陶瓷电容器失效原因:高温条件下陶瓷电容器击穿机理:老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移,瓷片电容,陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物,使漏电流局部增大,1KV瓷片电容,可引起热击穿,222M2KV瓷片电容,使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中,因为击穿时局部发热严重,较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。

陶瓷电容器:陶瓷电容器的第3个潜在缺陷变通解决方案:转而使用更低介电常数的陶瓷材料,例如:COG 等。 使用不同的电介质,例如:薄膜等。使用加铅和表面贴装技术 (SMT) 组件,可紧密贴合印制线路板 (PWB)。使用更小体积器件,降低电路板应力。使用更厚组件,降低施加电压应力和物理变形。东莞市辰城电子有限公司是一家有着多年丰富经验和先进技术及先进自动生产线的商家,经营产品有:安规Y1、Y2电容;薄膜类CBB电容器;独石电容器等等...
陶瓷电容器介质:晶粒间界是指两个晶粒之间的过渡区,佛山瓷片电容,在这个过渡区内,品格结构的完整性或化学成分与晶粒体内有显著的区别。在晶粒间界上通常聚集着大量的位错、热缺陷与杂质缺陷,因而对陶瓷材料的力学性能和电学性能有重大影响。东莞市辰城电子有限公司是一家有着多年丰富经验和先进技术及先进自动生产线的商家,经营产品有:高中低压系列陶瓷电容器;安规Y1、Y2电容;薄膜类CBB电容器;盒装电容器;独石电容器等等...
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