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瓷片电容-辰城电子-清远瓷片电容

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详细信息

陶瓷电容器: 高压陶瓷电容器作为高压电容的成员之一,被广泛应用于各个领域。但是这种高压陶瓷电容器仍然会有被击穿的风险。导致高压电容器击穿的因素众多。 造成高压陶瓷电容器被击穿的因素有很多,按照其导致的因素,可以将击穿情况分为电压击穿、热击穿、过电流击穿、电磁场强击穿等情况。东莞市辰城电子有限公司是一家有着多年丰富经验和先进技术及先进自动生产线的商家,经营产品有:安规Y1、Y2电容;薄膜类CBB电容器;独石电容器等等...

陶瓷电容器:陶瓷电容器的第3个潜在缺陷变通解决方案:转而使用更低介电常数的陶瓷材料,清远瓷片电容,例如:COG 等。 使用不同的电介质,例如:薄膜等。使用加铅和表面贴装技术 (SMT) 组件,可紧密贴合印制线路板 (PWB)。使用更小体积器件,2KV瓷片电容,降低电路板应力。使用更厚组件,1KV瓷片电容,降低施加电压应力和物理变形。东莞市辰城电子有限公司是一家有着多年丰富经验和先进技术及先进自动生产线的商家,经营产品有:安规Y1、Y2电容;薄膜类CBB电容器;独石电容器等等...

半导体陶瓷电容器:表面层陶瓷电容器 电容器的微小型化,即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量,这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说,瓷片电容,微小型化的基本途径有两个:①使介质材料的介电常数尽可能提高;②使介质层的厚度尽可能减薄。在陶瓷材料中,铁电陶瓷的介电常数很高,但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时,陶瓷介质很难做得很薄。


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